盡管電動汽車市場在不斷增長，但要實現(xiàn)廣泛應(yīng)用仍面臨一些挑戰(zhàn)。為解決這些問題，一個明顯的趨勢是開發(fā)基于碳化硅(SiC)的800伏特電動汽車總線驅(qū)動系統(tǒng)。

　　牽引逆變器推出新型SiC技術(shù)

　　這類系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更快的充電速度，同時減輕電動汽車的重量，使得汽車制造商能夠生產(chǎn)出續(xù)航里程更長的高端車型。在這一領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體已經(jīng)推出了第四代STPOWER SiC MOSFET。第四代技術(shù)提高了汽車和工業(yè)市場產(chǎn)品的功率效率和功率密度。

　　意法半導(dǎo)體計劃在2025年全年增加750伏特和1200伏特級別的產(chǎn)量，目的是將SiC的優(yōu)勢從高端汽車擴(kuò)展到中型和緊湊型電動汽車。電動汽車依賴牽引逆變器將車輛電池中儲存的高壓直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動交流牽引電機(jī)。考慮到高功率開關(guān)和可能涉及的高dv/dt瞬變，牽引逆變器必須非常堅固可靠。

       意法半導(dǎo)體的新型750伏特和1200伏特SiC MOSFET器件預(yù)計將提高400伏特和800伏特電動汽車總線牽引逆變器的能效和性能。

　　據(jù)稱，SiC技術(shù)同樣適用于多種高功率工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、儲能解決方案和數(shù)據(jù)中心，從而提升這些快速增長的應(yīng)用的能源效率。

　　據(jù)意法半導(dǎo)體稱，與前幾代產(chǎn)品相比，第四代SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(on))顯著降低，最小化了導(dǎo)通損耗，并提高了整體系統(tǒng)效率。它們提供更快的開關(guān)速度，從而降低開關(guān)損耗，這對于高頻應(yīng)用至關(guān)重要，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。

　　意法半導(dǎo)體的SiC技術(shù)進(jìn)展：

　　第四代SiC技術(shù)：完成了750V級別資格認(rèn)證，預(yù)計2025年第一季度將完成1,200 V級別的資格認(rèn)證。

　　商業(yè)應(yīng)用：隨后，750 V和1,200 V的SiC器件將投入商業(yè)使用，適用于從標(biāo)準(zhǔn)交流線路電壓到高壓EV電池和充電器的應(yīng)用需求。

　　技術(shù)創(chuàng)新：正在并行開發(fā)多項SiC技術(shù)創(chuàng)新，第五代SiC功率器件將采用基于平面結(jié)構(gòu)的高功率密度技術(shù)。

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